S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是 D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边
箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道
不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S
电压通断
控制极电平为?V 时MOS管截止
NMOS:
S极接输入,D极接输出。
NMOS假如:
S接输入,D接输出。
由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用。
PMOS假如:
D接输入,S接输出。
同样失去了开关的作用。
N沟道
导通时,Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通。 P沟道 导通时,Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通。 总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)| BJT: Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件。 FET: Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件。 按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)。 两大类:
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压) 栅极阈值电压Vgs(th)
无论是NMOS还是PMOS ,按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。
或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。
管脚编号:
从G脚开始,逆时针123。
三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123。
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。