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本次竞赛项目分集创赛道、企业赛道、自由命题三个赛道。
（一）集创赛道：“冲击2025全国集创赛的跳板”
赛道题目由全国大学生集成电路创新创业大赛杯赛企业命题，结合我省集成电路产业发展特色，助力提升在校大学生创新实践能力，旨在通过本次竞赛的历练，成为学生冲击“2025年全国大学生集成电路创新创业大赛”的基石，表现优异的团队在专业能力方面将达到在2025年全国集创赛晋级分赛区决赛的水平。（注：报名完成后请及时加入本通知公布的咨询QQ群并关注大赛公众号，届时命题企业将会安排线上或线下实操培训详解题目要求）1.数字集成电路设计题目（龙芯中科）初赛题目：基于FPGA技术设计实现指定的数字系统单元。（具体实现内容将在报名开始后具体发布，例如运算器模块或外设控制模块等）决赛题目：设计一款基于LoongArch32 Reduced指令集的处理器原型系统。利用基于LoongArch32 Reduced指令系统构建的计算处理IP核在FPGA上构建片上系统，通过计算处理器IP核和FPGA上的外设资源协同，实现特定应用场景下的创新应用。2.集成电路制造工艺题目（紫光教育）初赛题目：初赛采用线上统一考核的方式进行，主要考察参赛者的集成电路工艺制造相关知识储备和实操能力，所有考核内容均来自初赛阶段提供给各个参赛选手的虚拟仿真软件，请参赛者基于虚拟仿真软件进行赛前准备和训练。本次比赛，虚拟仿真软件包括三个平台：集成电路工艺制造生产实训平台、集成电路制造设备认识实训平台、集成电路制造后封测实训平台。决赛题目：决赛采用线下统一比赛的方式进行，使用所提供的集成电路“虚实联动“竞赛设备，完成指定集成电路的制造、测试和性能调优工作。比赛现场将给出所需要制造的集成电路类型、制造约束条件、制造后测试要求和制造性能优化要求。参赛者首先要根据赛题给出的集成电路类型和约束条件，完成工艺制造过程。然后，根据给出的测试要求，通过半导体参数分析仪进行电学特性的测试。测试完成后，根据给出的优化要求，尝试优化工艺制造过程和相关参数。
3.集成电路测试设计题目（曾益慧创）
初赛题目：基于电路分析与模拟电子技术的基础，参赛者需要使用Multisim工具完成运算放大器芯片的原理设计和仿真工作。对于运算放大器芯片的设计和验证要求如下:设计指标：(1)负载电容：CL=10pF(2)相位裕度：60°(3)开环增益（低频）：>60dB(4)共模输入电压：>1V(5)输出摆幅（峰峰值）：>1.8V(6)电源电压：3.3V(7)压摆率：10V/us(8)直流功耗:<1mW(9)单位增益带宽：>5MHz(10)输出信号:单端输出要求基于Multisim设计工具完成设计后，还需进行仿真验证工作，给出仿真验证结果与设计指标的对比分析；最终需要提交该运放芯片的设计源文件以及设计和验证报告(Word文档，不限格式)。
决赛题目：决赛阶段为现场实操，届时会为选手提供所有所需设备。决赛分为上下半场：上半场中，参赛者拿到基于分立元器件搭建的运算放大器芯片内部电路板卡（电路中部分器件空缺），在规定时间内现场基于IECUBE-3835半导体参数测试平台完成电路板卡上空缺元器件的测试选型，并对整个电路完成现场要求的测试工作；下半场中，参赛者拿到含有运算放大器芯片样片的Device Interface Board（DIB），现场基于IECUBE-3100或IECUBE-3839集成电路测试ATE平台完成芯片量产测试程序开发，实现芯片的自动化测试。
（二）企业赛道：“工作offer的直通车”赛道题目由集成电路相关企业根据各自招聘技能需求命题，紧扣集成电路产业时代发展需求，旨在为即将毕业并渴望需求工作机会的在学大学生构建一条就业的绿色通道，命题企业将为参加对应赛题并表现优异的团队提供直接拟录用offer或面试绿色通道。（注：报名完成后请及时加入本通知公布的咨询QQ群并关注大赛公众号，届时命题企业将会安排线上培训详解题目要求）1.集成电路器件测试夹具设计（同惠电子）设计并制造功率半导体动静态参数测试夹具，完成MOS器件的相关特性测试。初赛题目：利用万能板或PCB板设计制造相关参数的测试夹具板，完成MOS器件直流特性测试、MOS器件静态特性测试分析, MOS器件CV特性测试, MOS器件动态开关特性测试任务，撰写并提交设计与验证报告。企业将提供相同的MOS器件与完成夹具设计过程的测试端子，并在竞赛过程中根据参赛队员所在学校的仪器配置情况，根据需求提供测试样机申请使用，其中包含：源表、电源、万用表、阻抗分析仪、CV特性分析仪、示波器、信号源等，以保证参赛选手在相对公平的环境下完成竞赛内容。同时，若参赛选手对于设计过程中的方案实现我们可以提供PCB加工的支持（原则上不超过3次）。决赛题目：利用万能板或PCB板设计制造相关参数的测试夹具板，完成MOS器件栅极电荷测试。携带作品现场展示，现场PPT展示设计思想，并利用主办方现场提供的测试仪器进行检验，不局限于用一台仪器完成测试项目。决赛获的一等奖的团队，同惠电子将根据每队具体贡献度提供拟录取offer或优先面试及实习机会，欢迎有志之士加入我们的研发设计团队。
2.射频与模拟集成电路设计（柯锐思德）
初赛题目：基于28纳米技术实现参数可调（trimmable）带隙基准（bandgap）设计，并使用Spectre完成仿真。·Bandgap要求如下：1.电源电压：1.8V~3.6V2.温度范围:-40°C~125°C3.静态电流: <1uA4.Vout=800mVa.输出精度(Before Trimming)：±16mV over all PVT and Monte-Carlo(3-sigma)b.输出精度(After Trimming)：±4mV over all PVT and Monte-Carlo(3-sigma)c.温度系数: 20ppm/°C5.电源抑制比a.DC~1KHz：>50dBb.1K~1MHz：>40dBc.1MHz以上：>50dB6.输出噪声a.10KHz：500nV/sqrt (Hz)b.100KHz：200nV/sqrt (Hz)c.1MHz：100nV/sqrt (Hz)d.10MHz：50nV/sqrt (Hz)7.启动时间:<100uS (From enable to 98% settle)需最终完成电路设计以及详细设计报告，且仿真结果可以重现并与设计报告匹配。决赛题目：基于28纳米技术实现高速模拟SAR ADC设计，并使用Spectre完成仿真。
·SAR-ADC要求如下 (需在所有 PVT 都满足) ：
1.电源电压：850mV~950mV
2.温度范围:-40°C~125°C
3.静态电流: <1mA
4.采样频率：1GHz
5.输入信号频率：10MHz~400MHz
6.输入满摆幅：500mV,peak(differential)/1V,peak-to-peak(differential)
7.分辨率：8bit
8.SFDR：50dB
9.SNR:46dB
10.SDNR/ENOB:45dB/7.2bit
11.Calibration: Auto/Semi-auto
需最终完成电路设计以及详细设计报告，且仿真结果可以重现并与设计报告匹配。备注：本题目难度适合即将毕业的本科生和研究生，结果优等的学生将获得本公司初试面试通过认定，直接进入中试（三）自由命题赛道：“特色与创意的自由展示舞台”
该赛道旨在鼓励参与者发挥自己的想象力与创造力，展示各高校团队在芯片创新应用、半导体产业链等相关领域的创新成果与设计思想，为参赛者提供了一个展示和交流的平台，促进学术界和工业界的交流与合作。（注：报名完成后请及时加入本通知公布的QQ群并关注大赛公众号，相关评审专家将会安排线上培训详解竞赛要求。）
初赛要求：（1）设计及成果报告（必须）：包括设计思想以及创新成果的技术原理、组成架构、关键参数、实现方案、测试结果、演示实物和视频等。（2）商业计划书（可选）：若成果已具备一定的市场化和产品化潜力，推荐撰写商业计划书。可包含如下内容：团队介绍、技术与产品、市场分析、竞争分析、市场营销、投资说明、投资报酬、风险分析、组织管理、经营预测、财务分析等。决赛要求：（1）汇报PPT：包括设计与成果介绍、技术分析、商业价值分析以及项目进展等；（2）设计及成果报告（必须）；（3）商业计划书（可选）；（4）视频或现场演示。
特别提醒：请关注微信公众号并加入下方赛事QQ群，了解题目最近动态信息。（加群原因请注明：“学校名+姓名”）
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