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IGBT半桥逆变电路工作原理以及当IGBT1开通关断时的电压电流波形如图1所示，Lσ代表整个换流回路（条纹区域内）所有的杂散电感之和（电容器，母排，IGBT模块）。 图1：IGBT半桥电路以及IGBT1开关时电压电流波形 由于电流的变化，杂散电感Lσ两端感应出大小为Lσ*dioff/dt的压降，该压降被当作是一个电压尖峰叠加在直流母线电压VCC上，同时施加在关断的IGBT1两端。允许的极限电流关断速度di/dt及过压能力可以从IGBT的RBSOA(反偏安全工作区)曲线（图2）推导出。如果测量是通过IGBT的辅助CE端子，则该曲线是有效的。如果测量是在IGBT模块主端子上进行的，考虑到主端子与辅助端子之间的杂散电感，规格书中会相应给出降额曲线。对于IGBT两单元模块，此图所示为两个换流IGBT开关其中之一两端电压。 IGBT模块内部杂散电感值Ls会直接给出用于计算，对于单个开关IGBT模块，Ls的值是模块主端子到辅助端子之间的杂散电感。对于两单元IGBT模块或者包含有多相桥臂的IGBT模块，Ls的值取决于应用中对应的上管和下管之间有效的换流回路。根据IGBT模块的结构，该值会明显小于上管和下管分别确定的杂散电感之和。在一个单相桥臂以上的模块中，从正电源电压，通过该相桥臂，回到负电源电压的换流回路总是最坏的情况。
可通过二极管关断的过程测量内部杂散电感。在某一时刻，当二极管的正向电流下降速度保持恒定，二极管仍然没有阻断能力时，两端产生压降。该压降只能是由于模块的杂散电感产生，无其他影响因素。模块杂散电感可以通过下式获得：Ls=△V/diF/dt。
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